中國科學(xué)家成功研制出世界最高磁場超導(dǎo)磁體
編輯: 王瑞穎 | 時(shí)間: 2019-12-06 10:52:17 | 來源: 人民日報(bào) |
日前,中國科學(xué)院電工研究所王秋良團(tuán)隊(duì)成功研制出中心磁場高達(dá)32.35特斯拉(T)的全超導(dǎo)磁體。該磁體采用了自主研發(fā)的高溫內(nèi)插磁體技術(shù),打破了2017年12月由美國國家強(qiáng)磁場實(shí)驗(yàn)室創(chuàng)造的32.0特斯拉超導(dǎo)磁體的世界紀(jì)錄,標(biāo)志著我國高場內(nèi)插磁體技術(shù)已經(jīng)達(dá)到世界領(lǐng)先水平。
此前低溫超導(dǎo)磁體產(chǎn)生的磁場強(qiáng)度上限為23.0特斯拉左右。此次,王秋良團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)并建造了全新的超導(dǎo)線圈和支撐結(jié)構(gòu),提高了線圈的整體工程電流密度和局部安全裕度,并采用軸向彈性支撐結(jié)構(gòu)和綁扎裝置,提高了超導(dǎo)接頭抵抗局部拉應(yīng)力集中的能力,使極高場內(nèi)插磁體的電磁安全裕度和應(yīng)力安全裕度都得以大幅提高。經(jīng)測試,此次建造的極高磁場超導(dǎo)磁體在液氦浸泡條件下產(chǎn)生了32.35特斯拉的中心磁場,并且實(shí)現(xiàn)了在32.35特斯拉全超導(dǎo)磁體的穩(wěn)定運(yùn)行,其關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)均已滿足綜合極端條件實(shí)驗(yàn)裝置國家重大科技基礎(chǔ)實(shí)施項(xiàng)目對極端強(qiáng)磁場的技術(shù)要求。
據(jù)悉,此項(xiàng)研究成果將服務(wù)于世界一流水平的綜合極端條件實(shí)驗(yàn)裝置用戶,為我國物質(zhì)科學(xué)探索新物態(tài)、新現(xiàn)象、新規(guī)律等基礎(chǔ)研究和應(yīng)用研究提供最先進(jìn)的強(qiáng)磁場實(shí)驗(yàn)條件。
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